«ПЕРВЫЙ СРЕДИ РАВНЫХ...»
Нормативные документы
Противодействие коррупции
Поступающим
Студентам
Выпускникам
Проект 5-100
Аккредитация специалистов

Наностенки из арсенида индия

Наностенки из арсенида индия

Ученые из Дании сообщили о получении интересных наноструктур – нанопластинок арсенида индия InAs, стоящих на подложке из GaAs. Такие структуры были получены методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием наночастиц золота в качестве катализатора.

Пластинки близки к треугольной форме, они имеют наночастицу золота на вершине и атомно-плоские развитые грани. Толщина пластинок, которая определяется диаметром частицы золота, составляет 30-80 нм, а высота достигает нескольких микрометров. Индивидуальные пластинки могут быть легко отделены от подложки, что позволяет измерить их физические характеристики.

Механизм образования пластинок выглядит следующим образом. Всё начинается с образования наностержня с квадратным сечением. Далее он преобразуется в пластинку, разрастаясь вширь благодаря наличию высокоэнергетических боковых граней . По мере роста пластинки вверх, что катализируется золотом, эти грани постепенно переходят в вертикальные низкоэнергетические грани , и рост в ширину прекращается. Таким образом рост пластинок обусловлен двумя механизмами - вертикальный рост катализирован частицей золота, а горизонтальный рост осуществляется за счет осаждения из газовой фазы.

Работа «Molecular beam epitaxy growth of freestanding plane-parallel InAs nanoplates» опубликована в журнале Nature Nanotechnology.

Источник: Nature Nanotechnology


20.01.2008

Нанометр


Привязка к разделам:  Биотехнологии | Новости науки

Назад